Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5.
25.12.2018

  В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2018, №11) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия / НМСТ, 2018, Т. 20, №11, С. 659-675.

Аннотация

  В части 5 обзора проанализированы состояние и направления развития технологий получения тонких пленок нитрида
кремния (ТПНК) для микроэлектронных и микросистемных приложений при плазменной активации исходных реагентов
в реакторах циклического действия с последовательно-импульсным напуском исходных реагентов. Плазмоактивированное низкотемпературное атомно-слоевое осаждение (ПА-АСО) позволяет получать ТПНК при температурах ниже
500 °C из прекурсоров неорганической (силаны, хлорпроизводные силанов, амины) и органической природы для современных
микро- и наноэлектронных технологий. Характеристики покрытий отвечают требованиям по составу и свойствам, в
частности, ТПНК имеют низкие скорости растворения в жидкостных травителях на основе фтористоводородной кислоты. Конформность роста покрытий при ПА-АСО значительно превышает таковую для процессов получения ТПНК в
проточных плазменных реакторах.

  The fifth part of the review contains an analysis of the present state and possible directions for development of the technologies
for obtaining of the silicon nitride thin films (SNTF) intended for the integrated circuits (IC) and microelectromechanical systems
(MEMS). Information concerning the low-temperature SNTF, obtained in plasma-activated atomic-layer deposition (PA-ALD) in
the cycle-type reactors with sequentially pulsed reactant injection, is analyzed. PA-ALD allows us to obtain SNTF at temperatures
below 500 °C using inorganic (silanes, chlorosilanes, amines) and organic precursors. The film characteristics meet the technology
requirements, such as the film stoicheometry, density, low etch rates, etc. In case of PA-ALD of SNTF the conformality of growth
is much better than in the processes of obtaining of SNTF in the flow plasma reactors.

Скачать PDF