Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6.
14.02.2019

В журнале "Нано- и микросистемная техника" (2019, №1) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах / НМСТ, 2019, Т. 21, №1, С. 3-13.

В части 6 обзора проанализированы состояние и направления развития технологий получения низкотемпературных тонких пленок нитрида кремния для микроэлектронных и микросистемных приложений при каталитической активации "горячей нитью" исходных реагентов в реакторах проточного типа. Рассмотрены результаты исследований, особенности и преимущества каталитического химического осаждения из газовой фазы. Преимуществами являются возможность получения тонких пленок с широким диапазоном составов, в том числе близким к стехиометрии и с низким содержанием водорода; возможность использования низких температур осаждения для подложек разнообразной формы и размеров, в том числе гибких подложек; высокая эффективность использования исходных реагентов (в основном моносилана и аммиака). Недостатком процессов каталитического химического осаждения из газовой фазы является плохая конформность осаждения тонких пленок.

Part 6 of the review presents the state and possible directions for development of the silicon nitride thin films (SNTF) intended for the integrated circuits (IC) and microelectromechanical systems (MEMS) applications. Information is analyzed for the low-temperature SNTF, obtained by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) in the flow-type reactors. Advantages of Cat-CVD are a wide range of the film compositions, including stoichiometric ones with a low content of hydrogen, a possibility to use samples of different shapes and sizes, including the flexible substrates, and high effectiveness of the reagents utilization (preferably monosilane and ammonia gas). The disadvantage of the Cat-CVD is a poor conformality of the deposited thin films.

Скачать PDF

DOI: 10.17587/nmst.21.3-13