Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. (Часть 1)
14.03.2010

Проанализирована совокупность различных аспектов применения методов химического осаждения тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов (поликристаллический кремний, нитрид кремния, диоксид кремния и силикатные стёкла) из газовой фазы (ХОГФ) для изготовления интегральных микросхем (ИМС) с алюминиевой системой коммутации и технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Работа состоит из 5 частей. Рассмотрены основные тенденции развития и проблематика методов ХОГФ применительно к технологии ИМС. Проанализированы местоположение тонкослойных материалов в ИМС с многоуровневой системой коммутации и требования к методам их получения, основные тенденции развития промышленных методов ХОГФ. К основным проблемам ХОГФ отнесены: поиск оптимальных реагентов и конструкции аппаратуры, снижение дефектности осаждённых материалов, рост на рельефных поверхностях и заполнение узких зазоров в ИМС, контроль качества и оптимизация процессов ХОГФ и свойств слоёв.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2010. Вып. 1 (224). С. 67-82.

Скачать полную версию журнала