Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 2)
15.08.2011

Во второй части работы выполнен анализ конструкционных особенностей аппаратуры и методики химического осаждения из газовой фазы тонкослойных неорганических кремнийсодержащих материалов, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Рассмотрены особенности работы отдельных узлов и параметры оборудования, методические особенности качественного осаждения, взаимосвязь параметров технологических процессов и характеристик тонких слоёв.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоёв / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2011. Вып. 1 (226). С. 51-66.

Скачать полную версию журнала