Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм (Часть 3)
24.11.2011

В третьей части работы рассмотрены методологические подходы и обобщены основные экспериментально обнаруженные закономерности роста кремнийсодержащих слоёв, применяемых при изготовлении интегральных микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Работа написана на основе отечественного и зарубежного личного практического опыта и публикаций автора в области химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы в наиболее используемых в микроэлектронной технологии промышленных реакторах, а также литературных источников за последние 25 пет.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2011. Вып. 2 (227). С. 24-36.

Скачать полную версию журнала