Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления»
22.03.2013

Simulation results of thermal strain influence on the frequency characteristics of the resonant pressure sensor (RTS) have been presented. A strong dependence of resonance frequency temperature sensitivity of the RTS on the thickness of silicon dioxide films used in the sensors manufacture process has been shown. Thermo-compensation method of the resonant element with the membrane back-side silicon dioxide film has been suggested.

Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / Нано- и микросистемная техника, 2013, Вып.3, с.41-44.

УДК: 681.5.08

ISSN: 1813-8586

eLIBRARY.ru

Нано- и микросистемная техника