Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах (Часть 1)
10.02.2013

Рассмотрены результаты исследований и разработки процессов низкотемпературного осаждения из газовой фазы при субатмосферном давлении слоёв диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. В первой части работы выполнен литературный обзор состояния исследований, технологических проблем, направлений и задач исследования.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1. Обзор состояния, направлений и задач исследования // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2013, Вып.1 (230), с.76-87.

DOI: Ожидается