Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии
25.09.2015

Рассмотрен базовый принцип защиты интегральных микросхем (ИМС) от воздействия электростатического разряда (ЭСР) и основные методы защиты от ЭСР площадок ввода-вывода ИМС, выполненных по субмикронным КМОП технологиям. Для использования в высоковольтной КМОП технологии ИМС представлены схемы защиты от ЭСР, созданные на основе комбинаций различных схем для аналоговых и цифровых, входных и выходных площадок, а также для площадок питания и земли. Рассмотрены варианты комплексной ЭСР защиты всего кристалла ИМС. Изложены основные принципы проектирования топологии защитных элементов в составе площадки ввода-вывода высоковольтных ИМС. Предложена эквивалентная схема двухкаскадной двунаправленной защиты для моделирования воздействия электростатического разряда. Проведено моделирование ЭСР защиты двунаправленной площадки ввода-вывода, выполненной по субмикронной высоковольтной КМОП технологии. Полученные при моделировании результаты удовлетворяют требованиям по электростатической защите до 2 кВ.

Карпович М.С., Лысь В.Д. Разработка электростатической защиты элементов ввода-вывода интегральных микросхем, выполненных по субмикронной высоковольтной КМОП технологии / Вестник СибГУТИ, 2015, вып.3, с.55-65.

Вестник СибГУТИ

Скачать полный текст