Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе. / Электро

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок. / Электронная техник

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть  3. Процессы атомно-слоевого осаждения / Электронная техника. Серия 3. Микроэле

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть  2. Процессы химического осаждения из газовой фазы / Электронная техника. Серия 3. М

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах / Электронная техника.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники / Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1 (177), С. 31-41. Выполнен обз

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками / Электронная техника. Серия 3. Микроэлек

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами / Электро

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок /  Электронная техника. Серия 3. М

Васильев В.Ю. О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах / Наноиндустрия, 2019, №3-4, c.194-204. Рассмотрены проблемы и