Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2.
29.06.2018

  В журнале Нано- и микросистемная техника (2018, №6) опубликована статья Васильева В.Ю. "Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия" / НМСТ, 2018, Т. 20, №6, С. 329-339.

Аннотация

  В части 2 обзора рассмотрены состояние и направления развития технологий получения тонких пленок нитрида
кремния для микроэлектронных и микросистемных приложений при термической активации исходных реагентов в реакторах циклического действия с последовательно-импульсным напуском исходных реагентов. Рассмотрены результаты
исследований возможностей реализации режима атомно-слоевого осаждения (АСО) при 300...650 °С и использовании
промышленных реагентов SiCl4, SiH2Cl2, а также олигомеров (Si2Cl6, Si3Cl8). Выделены работы, в которых режим АСО
наиболее вероятен; в остальных работах рост пленок протекает по механизмам химического осаждения с участием поверхности подложки. При температуре менее 500 °С пленки нестехиометричны и обогащены кремнием, содержат много
кислорода, а также примеси водорода и хлора. Достигнутая конформность пленок на структурах с аспектным отношением 60 составила <80 %.

  The second part of the review contains analysis of the status and possible directions of development of the technologies for obtaining of silicon nitride thin films for the microelectronic and microsystem applications during a thermal activation of the initial reagents in the cycle-type reactors with a consecutively pulsed reactant injection. It also considers the results of the studies of the feasibility of the atomic-layer deposition (ALD) mode at 300...650 °C with the use of the industrial reagents of SiCl4, SiH2Cl2, and
oligomers (Si
2Cl6, Si3Cl8), and points out the works, in which the ALD mode is most probable; in the other works the film growth
occurs according to CVD schemes of the chemical deposition involving the surface of the substrate. At temperatures below 500 °C
the films are nonstoichiometric, enriched with silicon, and contain a lot of oxygen, as well as impurities of hydrogen and chlorine.
The achieved film conformality on the structures with the aspect ratio of 60 was less than 80 %.

Скачать PDF